Описание:

Бесконтактная, основанная на методе маскирования фотолитографическая установка EVG®PHABLE™, реализующая операцию экспонирования при производстве фотонных компонентов. Система обеспечивает высокое разрешение и экономичное микро- и наноструктурирование пассивных и активных компонентов, например, создает на полупроводниковых пластинах шаблонные структуры светодиодов.

Установка EVG PHABLE — первое полностью автоматическое производственное оборудование, реализующее технологию PHABLE™ (сокр. от photonics enabler — «помощник в области фотоники») швейцарской компании Eulitha AG.

Система EVG PHABLE сочетает низкую стоимость владения, легкость работы и возможности осуществления бесконтактной микрозазорной фотолитографии с субмикронным разрешением фотолитографических степперов для обеспечения экономичного автоматизированного мультиплицирования шаблонов фотонных компонентов на большие площади, что обеспечивает способность данной системы работать с сапфировыми подложками или повышать светоотдачу (и таким образом эффективность) светодиодных устройств. Метод сдвиговой фотолитографии, основанный на эффекте Талбота, — Displacement Talbot Lithography — позволяет производить структуры с размерами от 3 мкм до 200 нм без снижения глубины резкости и стыков, что может возникнуть при работе с другим оборудованием. В результате достигается возможноть формирования структур на подложках, достигающих 6 дюймов в диаметре, за один шаг экспозиции. Это позволяет поддерживать высокую производительность системы EVG PHABLE вне зависимости от габаритов полупроводниковой пластины, а также сохранять очень большие зазоры экспозиции (до нескольких сотен микрон) между маской и пластиной, таким образом избегая загрязнения маски, что свойственно данной технологии.

Система EVG PHABLE способна реализовывать как одномерные шаблоны (линии и зазоры), так и двухмерные, такие как шестиугольные и квадратные решетки. Таким образом, в системе нашли поддержку различные способы повышения светоотдачи светодиодов.

• Метод, основанный на бесконтактной фотолитографии с маской.
• Позволяет получать периодические нано- и микроструктуры.
• Объединяет все преимущества фотолитографии, инфраструктур, фотомасок, фоторезистов и др.

 

Применение периодических структур

• Микро и наноструктуры на сапфировых подложках (PSS) для светодиодов.
• Структура поверхностных светодиодов (получение света).
• Структуры ячеек солнечных панелей (фото электрика).
• Антиотражающие покрытия.
• Светодиоды с нано проводниками.
• Биодатчики.
• Дифракционные решетки.

 

Возможности EVG PHABLE

Настройки	Размеры структур
	Нм		Мкм
Ламповый блок	Нано режим		Микродозы
Маска	Структуры и шаг нанометровых размеров		Структуры и шаг микрометровых размеров
Тестированные гексагональные структуры
Параметр		Значение
Толщина фоторезиста		0,5 мкм – 3,5 мкм
Диаметр отверстия/выступа		0,3 мкм – 2,0 мкм
Шаг		0,6 мкм – 3,0 мкм
Зазор экспонирования		50 мкм – 500 мкм

 

Производительность

Зазор при экспонировании	Обычно: 30 мкм – 600 мкм
Разрешение структур	Минимальный размер структур до 200 нм
	Максимальный размер структур до 3 мкм
Производительность	50 подложек в час и более

Не зависит от размера подложки - экспонирование всей подложки.

 

Уникальные преимущества технологии

• Литография Talbot БЕЗ ограничений, вызванных глубиной фокусировки.
• Бесконтактная фотолитография.
• Экспонирование по полной зоне – нет влияния шага.